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MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1 0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1
0.7 0.9
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 175 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= - 40 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
0.1
10
100
1000
10 000
0.01
0 10020
40 60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
J
u
nction Capacitance (pF)
1 10 100
100
1000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.01
10
1
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
MBRF
0.1
1
10
100
0.01 0.1 101 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
MBRF
Junction to Case
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